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波長(zhǎng)相對(duì)響應(yīng)

典型波長(zhǎng)近似靈敏度：

● 300µW/cm² at 1310nm

● 20mW/cm² at 1550nm

● 80mW/cm² at 1700nm

CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件（常見的有CCD和CMOS），尤其是片幅規(guī)格較大的單反數(shù)碼相機(jī)。再透過芯片上的模-數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）將獲得的影像訊號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出。

CMOS與CCD的區(qū)別：

1. 制造成像過程

    CCD與CMOS圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們主要的差別在于信號(hào)的讀出過程不同；由于CCD僅有一個(gè)（或少數(shù)幾個(gè)）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號(hào)輸出的一致性非常好；而CMOS芯片中，每個(gè)像素都有各自的信號(hào)放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD為了讀出整幅圖像信號(hào)，要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低，大大降低了芯片的功耗，這就是CMOS芯片功耗比CCD要低的主要原因。盡管降低了功耗，但是數(shù)以百萬(wàn)的放大器的不一致性卻帶來了更高的固定噪聲，這又是CMOS相對(duì)CCD的固有劣勢(shì)。

2. 集成性

    從制造工藝的角度看，CCD中電路和器件是集成在半導(dǎo)體單晶材料上，工藝較復(fù)雜，上只有少數(shù)幾家廠商能夠生產(chǎn)CCD晶元，如DALSA、SONY、松下等。CCD僅能輸出模擬電信號(hào)，需要后續(xù)的地址譯碼器、模擬轉(zhuǎn)換器、圖像信號(hào)處理器處理，并且還需要提供三組不同電壓的電源同步時(shí)鐘控制電路，集成度非常低。而CMOS是集成在被稱作金屬氧化物的半導(dǎo)體材料上，這種工藝與生產(chǎn)數(shù)以萬(wàn)計(jì)的計(jì)算機(jī)芯片和存儲(chǔ)設(shè)備等半導(dǎo)體集成電路的工藝相同，因此生產(chǎn)CMOS的成本相對(duì)CCD低很多。同時(shí)CMOS芯片能將圖像信號(hào)放大器、信號(hào)讀取電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、圖像信號(hào)處理器及控制器等集成到一塊芯片上，只需一塊芯片就可以實(shí)現(xiàn)相機(jī)的的所有基本功能，集成度很高，芯片相機(jī)概念就是從這產(chǎn)生的。隨著CMOS成像技術(shù)的不斷發(fā)展，有越來越多的公司可以提供高品質(zhì)的CMOS成像芯片，包括：Micron、 CMOSIS、Cypress等。

3. 速度

    CCD采用逐個(gè)光敏輸出，只能按照規(guī)定的程序輸出，速度較慢。CMOS有多個(gè)電荷—電壓轉(zhuǎn)換器和行列開關(guān)控制，讀出速度快很多，大部分500fps以上的高速相機(jī)都是CMOS相機(jī)。此外CMOS 的地址選通開關(guān)可以隨機(jī)采樣，實(shí)現(xiàn)子窗口輸出，在僅輸出子窗口圖像時(shí)可以獲得更高的速度。

4. 噪聲

    CCD技術(shù)發(fā)展較早，比較成熟，采用PN結(jié)或二氧化硅（SiO2）隔離層隔離噪聲，成像質(zhì)量相對(duì)CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢(shì)。由于CMOS圖像傳感器集成度高，各元件、電路之間距離很近，干擾比較嚴(yán)重，噪聲對(duì)圖像質(zhì)量影響很大。隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展，為生產(chǎn)高密度優(yōu)質(zhì)的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。

● 支持高速USB2.0 接口

● WDM 軟件支持與任何其它開發(fā)程序共同使用

● 高靈敏度的CMOS 傳感器中每個(gè)光學(xué)單元均含有微透鏡和聯(lián)式增強(qiáng)

● 可隨時(shí)抓拍單一圖象和視頻

● 8 比特亮度信號(hào)

● 光譜響應(yīng)范圍寬，400-1700nm

● 應(yīng)用電腦調(diào)整相機(jī)參數(shù)

● 可自動(dòng)調(diào)整曝光時(shí)間、放大倍數(shù)及白平衡

● 根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中的刷新頻率，相機(jī)輸出實(shí)時(shí)數(shù)字視頻信號(hào)