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電結(jié)晶過程之所以不同于一般的過飽和溶液等的結(jié)晶現(xiàn)象電結(jié)晶過程之所以不同于一般的過飽和溶液等的結(jié)晶現(xiàn)象，是因為有電場的影響存。電場直接影響結(jié)晶過程，電極電位決定成核的方式和鍍層沉積生長的動力學；電場會間接地通過影響反應區(qū)的局部環(huán)境，例如析氫導致 值變化，改變反應區(qū)的溫度而使沉積物改變；也可能促使形成氧化物、氫氧化物夾雜等等。在許多情況下，各種型的間接影響都可能在不同程度上同時存在。

一般地說，可以把電結(jié)晶與進程分成兩個階段。即成核或形成單原子層覆蓋，然后是生長。所以基體材料便有重要的影響。交換電流大的金屬，溶液純而離子濃度低時，通常沉積層易于松散、毛糙或生成技晶；反之，交換電流小，離子濃度高并有表面活性物質(zhì)存在時，有利于獲得致密的鍍層。表面活性劑的吸附，對成核和細化晶粒的影響很大，而且電流密度低時效果更明顯。鍍速過快時吸附往往滯后。因此在鍍液內(nèi)電場影響下吸附的機制便也有重要的影響。早期的研究似乎不考慮或否定了陰離子對電沉積過程的影響，但實際上近年來通過瞬態(tài)法的研究己經(jīng)證明陰離子也影響電結(jié)晶，并且其影響比陽離子要復雜。例如陰離子在電鍍?nèi)芤簝?nèi)存在的種類和離子強度對鍍鎳等確實有紛雜而且明顯的影響電鍍機。

沉積出來的粒子在電極表面上形成單原子覆蓋或者薄原子層，本來可以看做僅僅是理論研究中所確定的電結(jié)晶過程機理中的一個階段，然而，隨著上世紀末科學技術(shù)和生產(chǎn)特別是l’l’產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，微觀領域?qū)嶋H工程的重要性突顯出來。薄薄的單原子層覆蓋的性狀或納米級的結(jié)構(gòu)，已不是一個單純的理論研究問題，而是會直接影響產(chǎn)品生產(chǎn)和質(zhì)量的問題。雙脈沖電源例如，磁阻器件要求沉積的薄模或交替薄層具備所要求的特性；而研究表明，如果銅沉積在晶粒均勻的鉆上，得到的鍍層為f（?。ǎ航Y(jié)構(gòu)，分布均勻；反之，鉆鍍在銅上，銅表面即使顯露的是均勻的伽：結(jié)構(gòu)，沉積出的鉆在部分面積上呈，結(jié)構(gòu)，而另一部分面積則形成角：結(jié)構(gòu)并可能帶有很大形變。同時后者分布均勻而前者實現(xiàn)露頭。利用脈沖電流來代替直流可以使兩Cu鍍層的晶粒轉(zhuǎn)成納米級（晶粒尺寸2.5一28.5un，或更細）也可以用于交替多層型的薄膜，以及形成納米層次的階梯。